21世紀，電子信息技術(shù)向著微型化、高集成化、高頻化與多維化的方向發(fā)展。隨著電子設(shè)備應(yīng)用的空前普及和生產(chǎn)技術(shù)的自動化程度日趨完備，大功率化、小型化、輕量化、多功能化、綠色化以及低成本化不可避免地成為新型電子元器件的發(fā)展方向。集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展成果的結(jié)晶，主要包括厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路與半導(dǎo)體集成電路。其各有優(yōu)勢：半導(dǎo)體集成電路在數(shù)字電路方面獨占鰲頭、適合大批量生產(chǎn);薄膜混合集成電路在微波、高頻電路方面優(yōu)勢明顯;而厚膜混合集成電路則在高溫、高壓、大功率電路方面有其不可替代性。

　　所謂厚膜混合集成電路，簡稱厚膜電路或厚膜混合電路，是指通過絲網(wǎng)印刷、燒成等工序在基片上制作互連導(dǎo)線、電阻、電容、電感等,滿足一定功能要求的電路單元。由于具有體積小、功率大、性能可靠、設(shè)計靈活、成本低和性價比高等優(yōu)點，厚膜電路適應(yīng)了發(fā)展趨勢的要求，在混合電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)80%以上的市場份額，日益凸顯統(tǒng)治地位。

　　厚膜電路作為集成電路的一個重要分支，隨著厚膜電子材料和厚膜技術(shù)的產(chǎn)生而產(chǎn)生，隨著其發(fā)展而發(fā)展。厚膜電子材料是厚膜電路的物質(zhì)基礎(chǔ)，主要包括基片和厚膜電子漿料。基片是厚膜電路的載體，其材料性能對厚膜電路的質(zhì)量具有重要影響。厚膜電子漿料是厚膜電路的核心和關(guān)鍵，其質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到厚膜元件性能的優(yōu)劣。

　　厚膜電子漿料作為制造厚膜元件的基礎(chǔ)材料，電子漿料的分類方法很多。

　　根據(jù)用途不同，可分為電阻漿料、導(dǎo)體漿料和介質(zhì)漿料三大類。

　　按所用基片種類不同，可分為陶瓷基片、聚合物基片、玻璃基片和復(fù)合基片電子漿料等。目前陶瓷基片電子漿料應(yīng)用最為普遍，其中Al2O3陶瓷基片電阻漿料發(fā)展最早、技術(shù)成熟、用量最大。AlN基片等新型陶瓷基片電子漿料符合厚膜電路大功率化的發(fā)展要求，應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，在陶瓷基片電子漿料中占的比例越來越大。聚合物基片、玻璃基片和復(fù)合基片電子漿料的代表分別為聚酯及聚酰亞胺基片、鈉鈣視窗玻璃基片和被釉金屬絕緣基片電子漿料，均是隨著厚膜電路應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬而發(fā)展起來的新型電子漿料，分別在低、中、高溫下燒成，因其各自的專業(yè)性和不可替代性，市場份額日益擴大。

　　按導(dǎo)電相的價格高低,可分為貴金屬電子漿料和賤金屬電子漿料.貴金屬電阻漿料具有代表性的體系有鈀-銀電子漿料和釕系電子漿料.賤金屬電子漿料的代表有二硅化鉬電阻漿料.雖然貴金屬漿料具有高穩(wěn)定性和可靠性、高精度和長壽命等突出優(yōu)點,在電子技術(shù)中處于絕對優(yōu)勢地位,但降低成本,減少貴金屬的用量，使用賤金屬是電子漿料發(fā)展的方向。

　　按燒結(jié)制度不同，可分為高溫燒結(jié)電子漿料、中溫燒結(jié)電子漿料和低溫烘干性電子漿料。電阻漿料的燒結(jié)制度對性能影響極大。燒結(jié)制度的確立，不但與漿料的組成有關(guān)，而且與基片的種類關(guān)系重大。高溫燒結(jié)電子漿料燒成溫度一般為850℃左右，中溫燒結(jié)電子漿料的燒成溫度一般在500-700℃的范圍內(nèi)，有機樹脂配制的系列電子漿料屬烘干型電阻漿料，烘干溫度為120-250℃。

　　按用途不同，可分為通用電子漿料和專用電子漿料。通用電子漿料工藝適應(yīng)性和兼容性好，包括高性能電子漿料和片式電子漿料，廣泛用于高可靠性集成電路、精密分立元器件及片式電阻元件。專用電子漿料主要包括熱敏電阻漿料、浪涌電阻漿料及大功率電子漿料等，分別用于各種熱敏傳感控制元件、浪涌保護電路和大功率厚膜元件。